從1947年開始， BAS16LT1G半導體產業就已經呈現出在新工藝和工藝提高上的持續發展。工藝的提高導致了具有更高集成度和可靠性的集成電路的產生，從而推動了電子工業的革命。這些工藝的改進歸為兩大類：工藝和結構。工藝的改進( improvement)是指以更小尺寸來制造器件和電路，并使之具有更高密度、更多數量和更高的可靠性。結構的改進是指新器件設計仁的發明使電路的性能更好，實現更佳的能耗控制和更高的可靠性。

   集成電路中器件的尺寸和數量是集成電路發展的兩個共同標志。器件的尺寸是以設計中的最小尺寸來表示的，稱為特征圖形尺寸( feature size)，通常用微米（斗m）和納米( nm)來表不。l“m是111 000 000 m或約為人頭發直徑的1/100。Inm是111 000 000 000 m。半導體器件一個更專業的標志是柵條寬度( gate width)。晶體管由三部分構成，一部分足允許電流流過的通路。在當今的技術中，最流行的晶體管是金屬氧化物一半導體場效應晶體管( MOS-

FET)結構（見第16章），其控制部分被稱為柵(gate)。通過生產更小和更快的晶體管及更高密度的電路，更小的柵條寬度推動著產業發展。目前，產業界正推向5 nm的柵條寬度，根據國際半導體技術路線圖( ITRS)，在2016年左右將達到5 nm的尺寸4。