主功率器件為IGBT及GTO的感應加熱用中頻電源將與主功率器件為晶閘管的中頻電源展開激烈的競爭并逐漸縮小前者的市場份額。中頻(頻率為10~30kHz)領域使L4949EDTR-E用的中頻電源將以IGBT為主要器件,其單機容量將隨著⒑BT自身容量的不斷擴大而不斷擴大,并獲得越來越大的使用范圍。高頻(頻率高于100kHz)領域的感應加熱電源將以MOSFET為主要器件,伴隨著M0叩ET制造工藝的不斷進步和突破,以MOsFET為主功率器件的高頻電源將獲得廣泛的應用,其容量將不斷擴大。

   感應加熱用中頻電源的冷卻技術將獲得較大突破,將解決水冷方式在使用中帶來的漏水、水質處理等不便,但這之間也許要經過很長的時間。感應加熱用中頻電源的配套件將不斷進步,更加標準化、系列化,給高中頻電源的制造和維修帶來更大的方便。