許多雜質既可以是替位式也可以是填隙式溶于晶體的晶格中,并通過這兩類雜質的聯合移動來擴散。 MAX3041ESE+T一個替位原子可能離解成一個填隙原子和一個空位,所以這兩種擴散總是相互關聯的。這類擴散雜質的跳躍速率隨晶格缺陷濃度、空位濃度和雜質濃度的增加而迅速增加。對于具體的雜質而言,究竟屬于哪一種擴散方式,取決于雜質本身的性質。在單晶硅中,不同的雜質元素是以不同方式擴散的。

   ①替位式雜質:主要是ⅢA和ⅤA族元素,具有電活性,在硅中有較高的固溶度。它們多數以替位式方式進行擴散,擴散速率慢,稱為慢擴散雜質。如川、B、Ga、h、P、跳、As。

   ②填隙式雜質:主要是IA和ⅧA族元素,如Na、K、h、H、七等。它們通常無電活性,在硅中以填隙式方式進行擴散,擴散速率快。這類雜質在微電子器件或集成電路制作中意義不大.對此不再討論。

   ③填隙―替位式雜質:大多數過渡元素,如Au、Fe、Cu、Pt、Ni、i\g等.都以填隙一替位式方式擴散,最終位于間隙和替位這兩種位置上。位于間隙的雜質無電活性,位于替位的雜質具有電活性。這兩種位置雜質的固溶度差別很大,位于同種位置的比例隨元素不同而叉有很大差別,如Au約90%為電活性的,№只有0.1%具有電活性。填隙一替位式雜質擴散速率快,約比替位式擴散雜質快五六個數量級,因此,被稱為快擴散雜質,但在硅中的罔溶度小于替位式擴散雜質。