有研究表明,在1040℃條件下,生長⒉GaN層會比⒇0℃條件下生長的少GaN具有更好地抑制多量子阱中缺陷的能力,從而提高LED芯片的抗靜電的能力。RT9296GQW通過改善工藝來控制缺陷密度,能有效提升LED芯片的抗EsD能力。如果在GaN基LED芯片中摻入調制摻雜的AlC・aN/GaN超晶格,當LED芯片遭受靜電沖擊時,這種結構能夠有效地引導沖擊電流,使這個脈沖電流在AlGaN/GaN結構的二維電子氣中沿橫向方向上傳導,使得脈沖電流的密度分布更加均勻,從而使LED的PN結被擊穿的可能性得到很大的降低。雖然這樣的AlGaN/GaN超晶格結構產生的橫向電流引導能夠有效地改善芯片ESD保護能力,但是,這種結構也會導致LED的發光量略有降低,因此使得LED的發光效率降低。

   最簡單的LED EsD保護電路由并聯一個反向二極管構成,這個二極管使反向的靜電電能釋放掉,使過量電流通過二極管流向大地。但在LED芯片的內部集成這種保護二極管,會影響LED的發光效率,導致這種影響的主要原因是二極管的電極會阻擋光的輸出。如果

采用倒裝式的LED封裝技術,或者ITo透明電極技術,這種阻擋影響就會減小,從而使發光效率得到改善。當然,用于集成LED內的這種保護二極管需要滿足一定的參數條件,否則就會對LED的正常工作造成影響。雖然理論分析發現,提高摻雜濃度會影響到LED的抗靜電能力,但是也會影響LED的頻率響應速度,需要在提高抗靜電能力和減小頻率影響之間做適當的選擇。