在空間電荷區形成后,由于正負電荷之間的相互作用,在空間電荷區形成了內建電場,OB2279CPA-T其方向是從帶正電的N區指向帶負電的P區。顯然,這個電場的方向與載流子擴散運動的方向相反,將阻止載流子的進一步擴散。另一方面,這個電場將使N區的少數載流子空穴向P區漂移,使P區的少數載流子電子向N區漂移,漂移運動的方向正好與擴散運動的方向相反。從N區漂移到P區的空穴補充了原來交界面上P區所失去的空穴,從P區漂移到N區的電子補充了原來交界面上N區所失去的電子,這就使空間電荷減少,內建電場減弱。 因此,漂移運動的結果是使空間電荷區變窄,擴散運動加強。最后,多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。在P型半導體和N型半導體的結合面兩側,留下離子薄層,這個離子薄層形成的空間電荷區稱為PN結。PN結的內建電場方向由N區指向P區。在空間電荷區,由于缺少可移動載流子,所以也稱之為耗盡區。