隨著集成電路技術節點的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加,互連系統中電阻、電PT4115BSOH容帶來的RC耦合寄生效應迅速增長,影響了器件的速度。圖2.3比較了不同技術節點下門信號延遲(gate delay)和互連層RC延遲(RC delay)。在早期,柵致延遲占主導地位,互連工藝中的RC延遲的影響很小。隨著CMOS技術的發展,柵致延遲逐步變小;但是,RC延遲卻變得更加嚴重。到0.25um技術節點,RC延遲不再能夠被忽略[:]。

   圖2.3 不同技術節點下柵致延遲和互連工藝中的RC延遲

   降低RC延遲可以分別通過降低阻抗和容抗以達到目的。首先來考察與阻抗相關的相關參數

   R=ρL/A

   式中,ρ是導線材料的電阻率,A和L分別是與電流方向垂直的導線截面積和電流方向的導線長度。由于A和L是幾何微縮過程中已經確定了的重要參數,降低阻抗R的最好的方法就是降低電阻率ρ值。在0.18um和0.13um技術節點,工業界引人了低電阻值的銅互連線來代替鋁互連技術,銅互連將至少沿用到22nm技術節點。