傳統的CM()S器件隨著特征尺寸逐步縮小,越來越顯現出局限性。研究人員正在積極尋找新的替代器件產品,R1EX24128BSAS0G以便在更小的技術節點中超越體硅CMC)S技術。ITRS中提出的非傳統CMOS器件,有超薄體SC)I、能帶工程晶體管、垂直晶體管、雙柵晶體管、FinFET等。而未來有望被廣泛應用的新興存儲器器件,主要有磁性存儲器(MRAM)、相變存儲器(PRAM)、納米存儲器(NRAM)、分子存儲器(molccular mem°ry)等。新興的邏輯器件則主要包括了諧振隧道二極管、單電子晶體管器件、快速單通量量子邏輯器件、量子單元自動控制器件、納米管器件、分子器件等。

   在未來各種集成電路新器件中,大量納米技術將得到應用,除了在存儲器和邏輯器件中作為晶體管的主要材料,某些形態的碳納米管可在晶體管中取代硅來控制電子流,并且碳納米管也可取代銅作為互連材料。因此,集成電路制造工藝技術也將迎來新的變革。