對于這些不同架構的存儲器來說,按照存儲層的材料可以分為三維浮柵存儲器和=維電荷俘獲存儲器。TA7291FG前者主要由美同美光公司推介,在2015年底完成了技術上的準備,由于采用多晶硅浮柵作為存儲層,存儲單元面積更大,在實現更多層存儲單元層疊時工藝難度較大,因此主要是通過把外圍電路置于存儲陣列下面來實現面積的縮減。對于三維電荷俘獲存儲器,又可以劃分為垂直柵型和垂直溝道型。臺灣旺宏公司推出的基于垂直柵結構的=維電荷俘獲閃存結構,工藝上要難于垂直溝道型,一直未見其宣告量產。垂直溝道型三維電荷俘獲存儲器是最早實現大規模量產的閃存產品,2013年8月,三星電子公司推出了第一代24層的=維垂直溝道型電荷俘獲=維存儲器,2014年7月推出了第二代32層128Gb產品,⒛15年推出了迮8層256Gb的產品。事實上,=星電子公司的垂直溝道型三維電荷俘獲存儲器單元也是基于無結場效應晶體管結構,如圖3.31所示。該芯片具有24層堆疊的字線(WI冫)0除最底層的單元選擇晶體管為常規反型工作模式,其余每個字單元晶體管均為基于電荷捕獲閃存無結薄膜晶體管(JI冫Charge Tmp Flash Thi⒈Ⅲm Transistor,J⒈CTFTFT)。該器件關閉時要求多晶硅薄膜溝道(管狀)處于全耗盡狀態;因此,多晶硅薄膜厚度(TCH)要盡量薄。此外,進一步增加存儲單元密度的強勁需求,也在不斷推動縮小多晶硅薄膜溝道TCH。與工作在反型模式(IM)的器件相比,該產品表現出更優異的性能,可提供更快速的寫人/擦除(P/E)速度,更大的內存窗口(>12V)和更好的耐力()101次);在150℃測試條件下,還具有優良的10年數據保留能力。更為出色的是該器件開關電流比大于10:,同時具備非常陡峭的亞閾值擺幅(SS)[63]