高比介質的沉積方法
發布時間:2017/10/18 20:58:02 訪問次數:566
Hf02族的高乃介質主要通過原子層沉積(ALD)或金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)等方法沉積。NCP1654BD65R2G后柵極工藝路線主要采用ALD方法生成柵極介質Hf02,因為其沉積溫度較低(300~400℃),低于HfO2的結晶溫度。沉積采用的前驅體是H℃h,與H2O反應生成HfO2。
HfCl衽+H20~→H⒀2+HCl
前柵極I藝路線主要采用MOCVD沉積HsiO,然后通過熱或等離子氮化生成HsiON。沉積溫度較高(600~700℃),因為較高的沉積溫度配合后續高溫的氮化和氮化后熱處理(1000℃),有助于去除薄膜中的C雜質,已知C雜質會在HfO2中形成施主能級,增大薄膜的漏電流(見圖4.10)。
沉積采用的Hf前驅體是TDEAH或HTB,⒏前驅體是TDMAS或TEOS,與02反應生成H⒗iO。
TDEAH(HfEN(GH5)2]1)+TDMAS(⒏EN(CH3)2彐4+(九――÷HsiOx+C(、+H20+NOx HTB(Hf[O~C(CH3)3]刂+TEOS(⒏Eo~C(CH3)3彐4+02一Hf⒏Ox+CΘ2+H20
Hf02族的高乃介質主要通過原子層沉積(ALD)或金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)等方法沉積。NCP1654BD65R2G后柵極工藝路線主要采用ALD方法生成柵極介質Hf02,因為其沉積溫度較低(300~400℃),低于HfO2的結晶溫度。沉積采用的前驅體是H℃h,與H2O反應生成HfO2。
HfCl衽+H20~→H⒀2+HCl
前柵極I藝路線主要采用MOCVD沉積HsiO,然后通過熱或等離子氮化生成HsiON。沉積溫度較高(600~700℃),因為較高的沉積溫度配合后續高溫的氮化和氮化后熱處理(1000℃),有助于去除薄膜中的C雜質,已知C雜質會在HfO2中形成施主能級,增大薄膜的漏電流(見圖4.10)。
沉積采用的Hf前驅體是TDEAH或HTB,⒏前驅體是TDMAS或TEOS,與02反應生成H⒗iO。
TDEAH(HfEN(GH5)2]1)+TDMAS(⒏EN(CH3)2彐4+(九――÷HsiOx+C(、+H20+NOx HTB(Hf[O~C(CH3)3]刂+TEOS(⒏Eo~C(CH3)3彐4+02一Hf⒏Ox+CΘ2+H20
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