高乃介質的一個挑戰是維持器件的高驅動電流,如前所述,在高乃介質上面采用金屬電極取代多晶硅,NCP305LSQ15J可以減少溝道內電子遷移率損失,但還需要在高慮介質和⒏基底之間加入Si()2/Si()N作為界面緩沖層,進一步改善電子遷移率。界面層還有助于界面的穩定性和器件的可靠性,因為在以前多個技術節點,⒏o2/Si()N與⒏基底界面的優化已經研究得十分深人了。當然,界面層的存在也有不利的一面,它使得整體柵極介質(由低慮值的Si()2/Si()N和高乃值的HfO2族介質構成)的乃值降低,從而影響Ef)T的降低,所以必須嚴格控制它的厚度。

  界面層的形成可以采用s的高溫氧化(如ISSG工藝),或化學氧化來實現。