所以在90nm以后,為改善物理轟擊所造成的問題,引入同位化學刻蝕對填充結構輪廓進行調整, NE5532APSR即在溝槽頂部封口前將其重新打開而不造成再沉積,使得薄膜可以bottom up填滿整個溝槽。其中NF3的干法刻蝕被認為是一種非常有效的方法。NF3在等離子體中離解形成含氟的活性基團,它可以打斷已沉積薄膜中的S⒈0鍵,形成揮發性的siF1隨著多余的02一起被抽走,從而打開溝槽頂部。但是這種單步沉積亥刂蝕-沉積對填充能力的改善是 有限的。

   通過多步循環沉積蝕一沉積來實現對所填充結構輪廓的調整,來降低溝槽填充的難度。這樣可以在保持HDP本身填充能力的同時,通過NF3的刻蝕來重新調整溝槽的形狀,使得更多的材料可以填充進去,保證溝槽不封口形成孔洞。