普通晶閘管是由四層半導體材料組成的
發布時間:2017/10/20 21:29:50 訪問次數:4761
晶閘管自從⒛世紀m年代問世以來已經發展成了一個大的家族。它的主要成員有單向晶閘管、NANDO2GW3B2DN6E雙向晶間管、光控晶間管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管及快速晶閘管等。
普通晶閘管是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極。第一層P型半導體引出的電極為陽極A,第三層P型半導體引出的電極為控制極G,第四層N型半導體引出的電極為陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制極G,這就使它具 有與二極管完全不同的工作特性。
晶閘管的優點很多,在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元器件更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態;以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。晶問管的缺點主要有靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。
晶閘管自從⒛世紀m年代問世以來已經發展成了一個大的家族。它的主要成員有單向晶閘管、NANDO2GW3B2DN6E雙向晶間管、光控晶間管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管及快速晶閘管等。
普通晶閘管是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極。第一層P型半導體引出的電極為陽極A,第三層P型半導體引出的電極為控制極G,第四層N型半導體引出的電極為陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制極G,這就使它具 有與二極管完全不同的工作特性。
晶閘管的優點很多,在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元器件更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態;以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。晶問管的缺點主要有靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。
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