低介電常數層間絕緣膜(低乃材料)的用途為減小布線間的電容。布線問的電容與絕緣膜的相對介電常數和布線的橫截面積成正比,與布線間隔成反比。 K4S2816320-LC75伴隨加工技術的微細化,布線橫截面積和布線問隔越來越小,結果導致布線間電容的增加。囚此,為了在推進加I技術微細化的同時叉不至于影響到信號傳輸速度,必須導人低乃材料以減小線間電容,從而可以很好地減少電信號傳播時由于電路本身的阻抗和容抗延遲所帶來的信號衰減。為了獲得介電常數小于或等于2.5的低乃材料,研究出一種通過在有機硅化合物玻璃中對低乃材料進行紫外光熱(ultraviolet ladiation)處理,圖4.28表示超低介電常數((2,5)的多孔薄膜的沉積I藝。圖4,29是沉積超低介電常數((2.5)的多孔薄膜的設各,圖4.30是超低介電常數(<2.5)的多孔薄膜的照片。表迮,10表示超低介電常數(<2.5)的多孔薄膜的特性。