金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩定均勻的有效功函數,兩種工藝都對薄膜厚度的均勻性要求較高。另外,先柵極的I藝對金屬薄膜沒有臺階覆蓋性的要求, TC74HC4066AF但是后柵極工藝因為需要重新填充原來多晶硅柵極的地方,因此對薄膜的臺階覆蓋性及其均勻度要求較高。

   目前的功函數金屬柵極沉積主要采用原子層沉積(AI'D)或射頻濺射物理氣相沉積法(RFPVD)。兩者相比,ALD的方法可以提供很好的階梯覆蓋性,可以得到均勻的金屬柵極厚度,為得到穩定的功函數提供保證;而RFPVD的方法可以容易地通過調節反應參數獲得不同功函數,同時獲得比ALD更高的生產能力。因此先柵極工藝一般選擇RFPVD方法 沉積功函數金屬,后柵極工藝隨器件尺寸減小,會逐漸從RFPVD向AI'D過渡。通常情況下,功函數金屬的厚度一般選擇在50~100A之間可以獲得比較穩定的功函數。

   在后柵極工藝中,功函數金屬沉積后,需要再沉積金屬Al將金屬柵極連接出去。一般采用熱鋁的方法來完成。之前需要濺射法沉積Ti作為黏附層,CVD鋁作為籽晶層。