當集成電路技術發展到65nm以下時,傳統的預清潔處理(predean)方式HF dip和Arsputter已經不能滿足制程的需要了,必須采用先進的SiCoNi預清潔處理腔。 TC74LCX08FT它主要包括兩個步驟:刻蝕(etch)和升華(sublimation)。NF3和NH3在plasma的作用下產生活性粒子,活性粒子在低溫條件下與硅片上的⒊O2發生反應生成易升華的化合物(NH4)2SiF6,然后在高溫下將化合物(NH4)2⒏F6升華以達到除去native oxide的效果。其反應機理如圖6.7所示。

   與HF dip和Ar sputter相比,⒏CoNi具有諸多優點[1]:

   (1)SiCoNi可以消除HF dip過程中存在的0time問題。由于HF dip與金屬薄膜的生長必須在不同的機臺上進行,在硅片傳輸的過程中,與大氣接觸使得硅片上重新生長一層 生比較強的plasma,對硅片表面產生強大的轟擊效應,在除去Sl02的同時,也對硅片表面產生破壞作用,使硅片表面變得粗糙,缺陷增加,在形成硅化物的過程中容易形成尖峰狀缺陷(spiking),見圖6,8(a)。另外,反應腔內的plasma也會對硅片上的器件產生破壞作用。而SiCoNi采用remote plasma的方式,在反應腔內沒有plasma,因此,對硅片表面和器件的破壞都較小,消除了尖峰狀缺陷,見圖6.8(b)。