與傳統的PVD相比較,ALPs主要有三個方面的改進以增強臺階覆蓋率和降低不對稱性。OPA129UB

   (1)增加硅片和靶材之間的距離(lo呷through),使從靶材上濺射出來的大角度的粒子沉積到反應腔的側壁上,只有小角度的粒子可以到達硅片表面。

   (2)降低反應壓力(low prcssure),壓力越低,氣體分子的平均自由程會越大,粒子的碰撞概率降低,這樣可以確保更具有方向性的沉積。

   (3)在硅片和靶材之問安裝基環(ground ring),如圖6.15(a)所示。基環可以將一些大角度的粒子過濾,確保到達硅片表面的都是小角度的粒子,以增加階梯覆蓋率和降低不對稱性。當制程發展到45nm時,線寬進一步縮小,AI'PS不再滿足階梯覆蓋率和不對稱性的要求,此時,需要對ALPS進行改進,采用ALPS ESI(Extend⒐licide Integration),用聚焦環(focus hng)替代基環,見圖6.15(b)。