接觸窗(contact window)由兩部分構成,一部分是作為黏合層的Tl/TiN(glue layer),OPA177GS/2K5另一部分是接觸孔的填充物鎢栓(W plug)。主要目標是在不出現填洞問題的前提下,RC盡可能低。本節介紹業界在提高填洞能力和降低RC方面的歷史、現狀和未來的發展。針對glue layer,主要介紹提高臺階覆蓋率(step∞verage),側重機臺(tclol)在硬件(hardware)的演變對step∞verage的影響,同時介紹在不同的世代(generation)對∞ntact環節(loop)的要求以及在△藝整合上的調整。對于W,除了介紹填洞方面所做的努力,還會介紹在△藝方面所做的工作,以減少形核層(nucleati°n layer)厚度和增大體層(bulk layer)W晶粒大小為主。

    主要的問題

   Glue layer是黏合層,增加W與基體(substrate)材料――主要是氧化硅(⒏o2)的結合力。glue layer叉分為Ti和TiN兩層。其中Ti起到黏合作用,同時也有一定的清潔(gettering)作用,在高溫下能與Si02反應,生成含Ti的硅氧化物降低阻值。只有△不行,因為在沉積W時,是CVD制程,會用到WF6。WF6有很強的氧化性,會與Ti反應,生成一種稱為火山口(volcano)的缺陷,造成整個∞ntact與substrate的剝離(peeling),需要有一 層隔離層。TlN就起到阻擋層的作用,它能阻止WF6和Tl的擴散與接觸,從而避免了volcan°的形成。只有TiN也不行,因為TiN的應力非常大,容易從substrate上剝離,需要Ti作為緩和層(buffcr layer)來提高接合力。