從上面的介紹可以看出,人水方XC17512LPD8C式在整個電鍍過程中非常重要。最初的人水方式采用的是冷入水(cold cntry),等硅片完全進人鍍液后再通電,但隨著線寬的不斷縮小,銅種子層的厚度也不斷降低,在硅片完全進人鍍液的過程中,薄的種子層會被鍍液腐蝕而不連續,在隨后的電鍍過程中產生缺陷。因此,隨后的化學電鍍工藝采用了熱入水(hot entry),即硅片人水之前就在硅片上加載電流,當硅片一接觸鍍液就開始電鍍,銅種子層就不存在被腐蝕的問題了。但當集成電路技術發展到65nm以下時,銅種子層的厚度變得更薄,傳統的熱入水不再滿足要求。超薄的銅種子層具有很高的電阻,當硅片入水的瞬間,電流密度相當大,接觸點發熱,甚至會被灼焦,將在硅片的邊緣產生“C”形缺陷。此時,就需要用到恒電勢人水(POT eFltry)方式,即在電鍍槽中增加一個參比電極,保持硅片上的電勢恒定,恒定人水時 為熱人水和恒電勢人水的電流密度比較,熱人水的人水點電流倍左右。目前,業界先進的化學電鍍工藝都已經采用恒電勢人水方式。