在化學電鍍的過程中,硅片土某一點的電流越大,電鍍的速度會越快。由于電XC17512LPD8I流是從硅片的邊緣加到硅片上的,相對于硅片的邊緣,硅片的中心需要加上銅種子層的阻值R2,見圖6.38(a)。這樣,中心的電流r2將小于邊緣的電流I1,使得硅片邊緣銅的厚度大于中間,這就是所謂的末端效應。當銅種子層的厚度變薄時,R2會變大,將加大末端效應,如圖6,38(b)所示。末端效應宏觀上增加了化學機械研磨的難度,微觀上使硅片的邊緣和中心的電鍍速率產生差異,從而產生填洞能力的差異L32。

   從圖6,38(a)的電鍍電路圖可以看出,要想減小硅片邊緣和中心電鍍速率的差異,可以有兩個方向:減小R2和增加R1。隨著線寬的縮小,銅種子層的厚度會越來越薄,這樣R2只 會越來越大,囚此,只有增加R1。降低酸的濃度可以有效地降低Rl,目前先進的化學電鍍都采用低酸電鍍液。另外,當發展到45nm以下的技術時,僅僅用低酸已不再滿足制程的需要,需要在電鍍液中加人額外的高電阻的裝置以增加R1或者在電鍍頭的旁邊增加一個陰極以改變硅片邊緣的電流分布,從而達到降低硅片邊緣和中心電鍍速率差異的問題。