前面提到了光刻分辨率由系統的數值孔徑和波長決定,當然還有與乃l因子相關的光刻分辨率增強方式有關。P1302/2CR2C本節主要介紹如何評判光刻工藝的分辨率。我們知道,光學系統的分辨率由著名的瑞利(Rayleigh)判據給出。當兩個相同大小的點光源靠近到它們的中心到中心的距離等于每一個光源在光學儀器所成像的光強最大值到第一極小值的距離時,光學系統便不能夠分辨出是兩個還是一個光源,如圖7.8所示。不過,即便是符合瑞利判據,兩個點光源之間區域的光強仍然比峰值低一些,有大約⒛%的對比度。對于線光源,當光源的寬度是無限小時,對于數值孔徑為NA,照明光源的波長為^的光學系統,在像平面的光強分布夠印制空間周期為71.5nm的圖形呢?回答是否定的。原因有兩個:①一個工藝需要一定的寬裕度和工藝指標才能夠大規模生產;②所有機器設各的可商業化的制造精度以及機器性能的全面性,如此機器既能夠印制在分辨率極限的密集線條,也能夠印制孤立的圖形,而且還必須最大限度地降低剩余像差對I藝的影響。對于l,35NA的光刻機,阿斯麥公司承諾最小能夠生產的圖形空間周期為76nm,也就是等間距的38nm密集線條。在光刻工藝當中,極限分辨率只具有參考價值,實際工作當中,我們只談在某工個空間周期、某一個線寬,具各多大工藝窗口,是否夠用于量產。表征工藝窗口的參數將在7.4節中詳細討論,這里做一下簡單介紹。通常,表征工藝窗口的參數有曝光能量寬裕度(Exposure LatitLlde,EL)、對焦深度或者焦深(Depth of Focus,DOF)、掩膜版誤差因子(Mask Error Factor,MEF)、套刻精度(oveday accuracy)、線寬均勻性(linewidth unf°rmity),等等。