曝光能量寬裕度指的是在線寬允許變化范圍內,曝光能量允許的最大偏差。如線寬P16C2510-133L為90nm的線條,線寬隨能量的變化為3nm/mJ,而線寬的允許變化范圍是±9nm,那么允許的曝光能量變化范圍是9×2/3=6mJ。如果曝光能量是30mJ,能量寬裕度相對曝光能量為⒛%。

    對焦深度一般是同光刻機焦距控制的性能相關的。如193nm的光刻機的焦距控制精度,包括機器的焦平面的穩定性、鏡頭的像場彎曲、散光像差、找平的精度、硅片平臺的平整度等,為120nm,那么一個能夠量產的工藝最小的焦深應該在120nm以上,如果加上其他工

藝的影響,如化學一機械平坦化(chemica卜mechanical planaozation),最小焦深還需要提高,如提到200nm。當然,后面會講到,焦深的提高可能會以能量寬裕度為代價。

   掩膜版誤差因子(MEF)定義為硅片線寬由于掩膜版上的線寬偏差造成的偏差同掩膜版上偏差的比值。

   通常情況下,MEF接近或者等于1.0。但是,在圖形空間周期接近衍射極限,MEF會迅速增加。太大的誤差因子會造成硅片上線寬均勻性的變差。或者,對應給定的線寬均勻性要求,對掩膜版線寬均勻性提出過高要求。