光刻膠形貌
發布時間:2017/10/26 21:29:10 訪問次數:1841
光刻膠形貌的異常情況包括側墻傾斜角,駐波,厚度損失,底部站腳,底部內切,T型頂,頂部變圓, SC103116MPVE線寬粗糙度,高寬比/圖形傾倒,底部殘留等。下面我們對它們逐一進行討論,如圖7.38所示。
側墻傾斜角(sidewall angle):一股是因為進人到光刻膠底部的光比在頂部的光弱(由于光刻膠對光的吸收)。解決方法一般通過減小光刻膠對光的吸收同時提高光刻膠對光的靈敏度。這可以通過增加光敏感成分的添加以及增加光酸在去保護反應中的催化作用(擴散-催化反應)。側墻角度會對刻蝕產生一定影響,嚴重時會將側墻角度轉移到被刻蝕的襯底材料中。
光刻膠形貌的異常情況包括側墻傾斜角,駐波,厚度損失,底部站腳,底部內切,T型頂,頂部變圓, SC103116MPVE線寬粗糙度,高寬比/圖形傾倒,底部殘留等。下面我們對它們逐一進行討論,如圖7.38所示。
側墻傾斜角(sidewall angle):一股是因為進人到光刻膠底部的光比在頂部的光弱(由于光刻膠對光的吸收)。解決方法一般通過減小光刻膠對光的吸收同時提高光刻膠對光的靈敏度。這可以通過增加光敏感成分的添加以及增加光酸在去保護反應中的催化作用(擴散-催化反應)。側墻角度會對刻蝕產生一定影響,嚴重時會將側墻角度轉移到被刻蝕的襯底材料中。
上一篇: 光刻膠的靈敏度越高
熱門點擊
- n-阱和p-阱的形成
- 自對準硅化物工藝
- 工序與工步
- sACVD薄膜生長的選擇性
- 光刻膠形貌
- 源漏極及輕摻雜源漏極的摻雜濃度相對越來越高
- PN結自建電壓
- 存儲器技術和制造工藝
- 與傳統的PVD相比較,ALPs主要有三個方面
- HKMG(高七介質層+金屬柵極)整合工藝
推薦技術資料
- 循線機器人是機器人入門和
- 循線機器人是機器人入門和比賽最常用的控制方式,E48S... [詳細]