在2009年,應用材料公司(AMAT)發布了用于32nm及其以下工藝節點的AdvantEdgc Mesa硅刻蝕機。Mesa利用了應用材料公司多代成熟的產品技術和豐富的經驗,W27E257-12突破性的ICP設計去除F ICP功率耦合的固有特征,從而改進了M形刻蝕速率均勻性。eMax CT^是應用材料公司第一個以兩個不同偏置功率、雙氣區和SiC涂層表面為特征的介質刻蝕機。兩種機型的目標都是要改進CD的均勻性。2O09年推出的Enabler E5具有一個專利技術的超高頻(VHF)[㈠1源,采用磁場和多個獨立的氣體注人控制離子流量。所有這些特征,導致其在一體化的后端工藝集成和高深寬比(HAR)接觸刻蝕中具有特殊的能力。超高頻混合是動態等離子均勻性控制的一個有效的技術,它能夠使腔室運行在保持超薄光刻膠完整性的低分解高選擇性模式,也可以運行在有效地去除光刻膠和刻蝕后殘余物的高分解模式。有效的腔室清洗能力,高純的抗等離子刻蝕的腔室材料,二者協同效應的結果提供了一個穩定、清潔的腔室條件。