淺槽隔離Ⅱ用來將構成器件的部件分離丌,在0.18um工藝屮,它已經代替了器件制造巾的I'ΘCOs(硅的局域氧化)隔離技術。在淺槽隔離刻蝕中,M74HC126RM13TR精確地控制淺槽隔離CD、溝槽的深度以及頂部圓角,對于器件的性能和良率都是很重要的。過大的淺槽隔離CD的變化,惡化了靜態I∶作點漏電流的性能。溝槽深度的變化導致后CMP臺階高度(SH)差,臺階高度被定義為從填充材料頂部表面到硅有源區的距離。盡管需要一個適當的臺階高度來阻止在Si(亠e外延沉積時硅有源區以外暴露,但臺階高度明顯的變化會導致對多品硅柵刻蝕底部形貌的影響。過于尖銳的頂角會在淺槽隔離側墻處產生高的邊緣電場,這會導致高漏電,在Id―Vg曲線|l表現為“雙駝峰”。雖然采用側墻氧化物退火.或者SiN拉回技術來減小“雙駝峰”,但它們無法改善由于局部應力差引起的窄溝道寬度效應。有效的頂部圓角,可以解決這兩個問題。如圖8.13Ⅱ所示,隨著特征尺寸的減小J曾加溝槽深度與溝槽CT)的比值,成為精確刻蝕控制的巨大挑戰。這是淺槽隔離圖形PR∷Barc,PR∷Si BarcⅡ/【3arc變化到PR∷Barc∷Darc∷AC(不定形碳)的動力之一,它可以得到更好的側墻粗糙度、工維尺寸收縮和較少的耐蝕光刻膠的補償。

   圖8,13 在IRTS路線圖中sTI的不斷增加的深寬比

   底部抗反射層(Barc)打開步驟是CD均勻性(CDU)控制的關鍵。除了刻蝕機白身的先進性能外,s()2是滿足苛刻CDU要求的必要條件。要使硅溝槽的頂角變圓,在STI溝槽刻蝕之前,要通入CH⒒/CH2F2或者是CHF∷HBr。HI3rⅡSF:是硅溝槽刻蝕的常用氣體組合,為r獲得更好的CDU和在致密與稀疏圖形間更好的載荷分布.它已經被吏復雜的組合

(如C12/CH?F?人)HFi∥NF・)和/或者兩步S1′1溝槽刻蝕所取代。圖8,14顯示的是在不同間距(125~5500m1)硅溝槽刻蝕中圖形的作用,先進的丁藝圖形化不定形碳明顯地比S←barc圖形化好5nm。這來源于先進的△藝圖形化中的清洗I藝,它使得在稀疏圖形F×的溝槽更為陡直。