如圖8.20所示,側墻是一個用來限定LDr)結和深源/漏結寬度的自對準技術。MC908QY4ACPE它的寬度、高度和物理特性,成為等比例縮小CM(E技術的關鍵。為了緩解結等比例縮小趨勢,并不以結電阻為代價來減小重疊電容,在柵的側壁形成了偏移間隔,從90nm CM(EI藝節點以后,它已經得到廣泛的應用。需要謹慎地平衡偏移間隔和源/漏擴展,以避免源到漏的重疊不夠造成的驅動電流損失或者明顯的短溝效應。為了在采川偏移問隔CM()SI藝屮得到可以接受的重復性和參數離散.偏移問隔寬度的均勻性必須控制在至少小于1nm。更寬的側墻可以減少短溝效應,降低側墻下面的寄生源/漏電阻,并月~更能耐受造成二極管漏電

流加大的NiSi的橫向過生長,或者接觸刻蝕釘子效應,但它限制F側埔寬度的縮小,并且對硅化物的形成和層間介質間隙的填充提出丁挑戰。除此之外,在不同圖形尺寸和密度的情況下,側墻材料沉積保形性較差・也會對側墻的寬度和高度的均勻性產生不良影響。