隨著器件變得更小, M4A3-192/96-10VNC如果氯化物/氮化物(()N)隔離的器件與氮化物氮化物(N()N)隔離的器件相比的話,在有著同樣的側墻寬度的情況下,就sH'C(應力引人的漏電)和yJ移動來說,氧化物/氮化物(ON)顯示出更好的可靠性,這些特性是山T氮化物和氧化物薄膜之間不同的機械應力造成的c另外,ON側墻的丁藝集成很簡單.()N側墻的刻蝕通常是`{扌含氫的碳氟化合物氣體來進行的,這包括CH⒎、tl HJ F?和C Il∷F。氮化物和氧化物的刻蝕速率高度依賴于所有等離子中氧氣含量的百分比。氧氣加人到刻蝕氣體,使得等離子氣相發生變化,特別是對氫濃度的改變。氧化物的刻蝕速率隨著氧氣的百分比的提高而下降,囚為CFk刻蝕劑減少r。氮化物的刻蝕速率與氫在等離子∠t相中的濃度有著密切的關系。氫叮以同CN反應生成HtlN,減少了氮化物表而聚合物的厚度.襯底上的氮原子去除得到了增強,因此氮化物的刻蝕速率隨氫的濃度增加。結果是在引人最大的氫濃度和適量的氧濃度下,得到了氮化物和氧化物相比,相對高的選擇性。在側墻刻蝕屮,除F選擇性控制外,預刻蝕和后刻蝕方案對解決CHkF、腔室記憶效應極具吸引力。如圖8.2=1所顯示的,這種記憶效應將導致側墻頂部過多的損失以及多晶硅柵兩側的側墻高度隨機忤非對稱。如果在側墻刻蝕和濕法去膠間的等待時間比較κ,留在SiN L的CHI「i將腐蝕SiN薄膜。在預刻蝕方案中,N「→∷02被川來清洗腔室,以減小側墻頂部的損失(圖8.24A與圖8,24B相比較)。而在后刻蝕屮,為了獲得對稱的側墻高度,利用未偏置的OJ來緩和腔室記憶效應(矧8.24C勹圖8.24D相比較)。