鋁墊刻蝕通常是在LAM2300Versys Metal的腔室內進行的。標準的鋁刻蝕氣體有BC13和被選擇的聚合物氣體CH1。鋁墊刻蝕由兩步組成:主刻蝕(ME)和過刻蝕(OE)。M01044主刻蝕步驟的時間由可以探測鋁信號的終點模式控制。掃描電子顯微鏡(SEM)被用來監視鋁線條和鋁墊側壁的形狀。圖8.46顯示的是透射率從55%~95%被分成六組的情況,它們的主刻蝕終點(EDP)時間和腐蝕缺陷的表現來自于同一個△藝程式。可以看出,刻蝕終點時間對透射率有著很強的線性依賴關系.透射率越高.相應地刻蝕終點時閘越長,腐蝕缺陷越嚴重。這可以解釋為有更多的鋁薄膜暴露了出來.要被刻蝕掉.因此需要更長的刻蝕終點,而可用來產生足夠保護鋁側壁的聚合物的光刻膠更少.囚此導致更壞的宏觀負載指標:眾多的腐蝕缺陷。即使更長的刻蝕終點.也不能提供足夠的聚合物保護c它還可以看出,透射率低于70%的任何一組.都沒有腐蝕缺陷。圖8.47(a)顯示的是F組從鋁墊側壁生長出的腐蝕缺陷。