為了找出無腐蝕的界限,在最差情況(最高可用的透射率晶圓)下探討了聚合物氣體CH1的影響。CH4流速從基數T增加到3.3T,相應的刻蝕終點和腐蝕缺陷的表現總結在圖8.48中。 M01046正如所預期的,當CH1的流速達到2.3T時,得到了無腐蝕的結果。然而,當CH1的流速達到3.3T時,腐蝕缺陷再次出現,F組腐蝕缺陷的sEM像顯示在圖8.47(b)。可以明顯地看到在側壁上積累了過多的聚合物,也可以注意到這種腐蝕缺陷是從剝落的聚合物同鋁墊側壁的界面處生長出來的。

   這種現象可以歸因于鋁側壁上過多的聚合物吸附了氯化物,并吸收了空氣中的水分・反過來將鋁墊侵蝕。更高的CH4流速對應更長的刻蝕終點時間。這表明從聚合物沉積的觀點來說,CH1起著同透射率相類似的作用也就是說,CH1的增加可以補償高透射率情況下缺少的聚合物,所以無腐蝕的窗口依賴透射率和CH4流速的結合。在上述試驗中,CH1流速T對所有的透射率(7O%的情況己經足夠高了,對于透射率為96.2%的情形,CH4流速被優化為2.5T。