在大規模集成電路制造中,如晶片L1mm2的區域,就可制造幾百萬顆光學顯微鏡無法辨認的器件,而各種污染,如顆粒、金屬離子污染、有機物污染、QT2032-PR7-1A2薄膜污染等,時刻影響著芯片器件的存活。為獲得最好器件性能、長期的可靠性和高良率,晶片清洗制程顯得尤為重要。

  晶片清洗是一個復雜課題,苜先,大規模集成電路制造有很多種可能的沾污,幾百步制程中每一步都可貢獻一種或幾種污染;另一方面,隨著器件高度集成化,對污染的要求更高,防范的范圍更寬,囚此清洗的難度就更大。例如90nm cM()S及以下制程,清洗多達一二百步,清洗不但要求去除顆粒和化學污染物,不傷及晶片表面不該傷及的部分,還要求過程安全、簡單、經濟和環保。

   本章我們將了解微電子制造中遇到的污染類型、相關污染的污染源、污染在集成電路中缺陷反映,各種現用清洗技術,清洗設各及清洗中用到的測量設備。