氧化硅的膜層有很多種,生成方式不同,膜層特性也不一樣。一般生成方式有爐管和化學氣相沉積(CVD)等, S912XEP100J5MAG其膜層密度有較大差異。爐管的膜層應用于制程最初的熱氧化層、NP井和PB井離子植人的犧牲層、閘介電層等,特點是在硅基體上生長氧化硅、熱預算高、膜層致密、品質好;CVD的膜層用于潛溝槽隔離(STI)、閘副側壁(()F「sET)、閘主側壁 (sPACER)、最初金屬介電層(PMI))、金屬內介電層(IMD)等,主要有前段制程的電漿增強型CVD膜(I)ECVD)、電漿增強型四乙氧基硅烷膜(PEt′E(s)、低溫氧化硅(1'TO)、90m1以下使用的高密度電漿膜(HDP)、钅5nm以下的高深寬比制程膜(HARP)和后端制程的90nn1以下的黑鉆石膜(BD)、氮植人碳化硅膜(NI)C)、45nm以下的超低介電常數膜(UI'K),這些膜的特點是松軟、熱預算低、品質相對爐管稍差。膜層由于使用地方不一樣,有些需要經過熱退火,有些需要經過離子植人后冉退火c因而,刻蝕速率會受到薄膜的組成、密度、溶液濃度和離子植人深淺等閃素影響。一般來講,爐管氧化硅最致密,刻蝕速率小于CVD膜層;退火的膜層刻蝕速率小于沒退火的膜層;對丁UI'K膜和NI)C膜,其含有碳或氮,濕法刻蝕率相對很低。