氧化硅濕法刻蝕第二個選擇是緩沖氧化物刻蝕劑(B()E),它是HF和NH∶F的混合物l避免H「刻蝕時氟離子的缺乏1bl,溶液pH值穩定,不受少量酸加人的影響.還 S912XEP100J5VAG有一個好處是刻蝕率穩定不侵蝕光阻,避免柵極氧化層刻蝕時光阻脫落。隨著技術節點的不斷下移,對刻蝕后膜層均勻度和粗糙度要求較高,刻蝕速率一般較快,克服不r這些問題,極稀的HF漸漸受到重視。

   HF/EG溶液對氧化硅濕法刻蝕

   HF/EG是49%的氫氟酸與乙二醇以大約4:96的比例混合,溫度控制在70~80℃,對爐管氧化硅和氮化硅的刻蝕選擇比約1:1.5,其主要特點是不與基體硅或干刻蝕損傷硅反應,因雨在有⒏的刻蝕制程或有⒏N和Sl02去除,都可有所考慮,如CMOS的sTI形成后,氮化硅濕法回蝕方面的應用。

   sC1溶液對氧化硅濕法刻蝕

   SC1是氫氧化銨、雙氧水、水的混合物,高溫(60~70℃)SC1(1:2:50)對爐管氧化硅有低的刻蝕率,約3A/雨n,可用于特殊步驟的精細控制。濃度越大和溫度越高,則刻蝕就越快。