對于后柵極集成方案,基于傳統做法,首先制作臨時多晶硅,接著通過化學機械拋光(CMP)打開柵基,W171D1P-25去除多晶硅和沉積新的柵疊層材料,如圖9.18所示.后柵集成的主要挑戰之一是去除臨時多晶硅,同時不傷及可能暴露的材料。去除臨時多晶硅,工業界已有不同的方法:①全干刻蝕附加濕法清洗;②部分干刻蝕附加濕法刻蝕和清洗;③全濕法刻蝕和清洗。一個像②和③的濕法刻蝕通常優選使用,因為它對暴露的材料有較少的傷害。

   Fabricatc poly-s⒘sioN CMOs  Rcmovc po1yˉ si/SiON  Depos"high-k and metal gate

   and CMP to cxpose gatc

   很多高pH值的溶液已知可作為⒏的刻蝕劑,如無機水溶性的K()H、NaOH、CsOH、NH10H以及有機水溶性的乙二胺、choline和四甲基氫氧化銨(TMAH)。稀釋的氨水和TMAH已普遍作為Sl刻蝕劑,是因為它們對CMOS制程的兼容性、易于處理和低的毒性。

對TMAH講,大約5%的濃度就可達到很高的⒏刻蝕率。之后,隨著TMAH濃度升高,Si刻蝕率降低。如圖9.19所示[44]。另外,當TMAH溶液有⒏時,Si膜刻蝕率也會降低,原因是OH-在硅污染的溶液中的遷移率降低。再者,有離子植人硅相對于沒有離子植人硅在堿性溶液中有不同刻蝕率。