超淺結(ultraˉshallow junction)是指對源極和漏極PN結深度的處理。R05107ANP-021為了對應橫向制程微縮所帶來的嚴重的短通道效應,結的縱向深度也必須進行向上調整,以減少源極和漏極問空乏區互相接觸所帶來的漏電流(su卜threshold leak),這個過程中通常伴隨摻雜濃度 的提升以彌補因結變淺所帶來的串聯阻值的增加。

   邏輯電路所使用的源極和漏極junction包含兩個部分,=為1'DD(Iightly DooedDrain),一為Nˉ或P(見圖12.3)。1'1)D是指在spaccr下面一個比較淺的junction,主要是用來控制通道內的電場分布和強度以抑制熱電子效應(hot carricr effect)。隨著制程的演進,I'DD的深度在65nm以下也已達到⒛0A左右,ml所用的濃度與N_/P相比也不遑多。