器件失效系指達不到預期的性能和規范的器件或正常I作的器件,經過一定時間的應力實驗或使用后,SAA7111AHZ其電學特性參數或物理、化學性能降低到不能滿足規定的要求。半導體器件失效分析(failure analysis)系指產品失效后,通過運用各種電學和物理測試,確定器件失效的形式(失效模式)、分析造成器件失效的物理和化學過程(失效機理)、尋找器件的失效原因,從而制訂糾正和改善措施。

   失效分析通常需要了解失效模式、失效機理和失效原因三方面的工作內容:失效模式(failure mode)――器件失效的形式和現象,如“管腳開路”,漏電流超標,Vdl/Vd失效等。內存產品的Single Blt、Block、⒏t Llnc、Word I'ind失效。

   失效機理(hlure mechanism)――導致失效的實質原因,即引起器件失效的物理或化學過程,如金屬互聯的電遷移、腐蝕、通孔缺失、柵氧化層擊穿及光罩缺陷等。失效原因(root cause)――失效機理發生的起因,如設計、機器參數(電壓,氣體流量,溫度)漂移,封裝參數設置(如bonding force)等。