總結結論、提出建議和改正措施,如(add FA Report Component and Format here):SMDA15C.TBT

   (1)失效原囚:以半導體器件失效機理的有關理論為根據,對上述失效模式和現象進行理論推理并結合材料性質、有關設計和工藝理論及經驗,提出導致該失效模式產生的內在原囚或具體物理化學過程。如有可能,更應以分子、原子學觀點加以闡明或解釋。

   (2)失效原囚未完全確定,但失效特征已有較好的了解c

   (3)分析失敗。失效原囚無法確定。

   (4)提出糾正措施。失效分析的終極目標是提高產品良率、品質和可靠性。根據失效分析結果,和相關部門合作,提出防止產生失效的設想和建議。它包括I藝、設計、結構、線路、材料、篩選方法和條件、使用方法和條件、質量控制和管理等方面,如此周而復始,不斷發現問題,分析解決問題,使器件的可靠性不斷得到提高。