掃描光學顯微方法(Scanning Optical Microscopy,S()M)是IC失效定位另一種常用及有效的方法,PM30RSF060業界因沒備制造商的不同,同一類型的設備有不同的名稱,但其基本原理是共通的,這些技術利用波長為1064nm或134Onm的雷射掃描芯片正面或背面。1064nm的雷射激發出電子-空穴對,常稱為光束誘發電壓調變(I'ight Induced Voltage Alternation,I'IVA);1340nm的雷射激發的能量,則被芯片以熱的形式吸收,被吸收的能量引起被掃描處特征阻值的變化,常稱為光速誘發電阻變化(Infrared Optical Bcam Induced ResistanccChange,OBIRCH)。

   LIVA

   當波長為1064nm雷射掃描并照射IC表面時,岡其波長比硅的禁帶寬度(1100nm)略低,其光子能量略大于硅的帶隙,發生本征吸收,價帶電子將被激發至導帶,同時在價帶屮形成空穴,在芯片中激發出電子一空穴對,非平衡的電子和簾穴可越過禁帶發生輻射復合或通

過禁帶中的局域態發生輻射復合.并形成非平衡的電流,繪出影像。需射照射在缺陷處可產生高于常態3~4個數量級的LIˇA光子流,此法是給定電流,量測相應的電壓調變,較適合來做有PN接面特性的定位。如連接到PN結的金屬互連開路和某些缺陷本身能增強電子-空 穴對復合,產生較強的LIˇA信號。HⅥ`定位技術靈敏度高,空問分辨率可達(0.75um,樣品制備簡單,同PEM類似。但因為芯片級產品的復雜性,雖然LIVΛ影像/亮點表示該處存在高于周邊的電子一空穴復合產生的光子流,真正引起失效的位置和I'IVA亮點不一定吻合,失效分析員對所分析產品的設計和版圖及物理原理均要有足夠的了解。