(1)定點切割(precisional cutting):利川離子的物理碰樟來達到切割的冂的,SDB628泛應于集成電路(I(r)和I'(lI)的Cr°ss scction加丁和分析.

   (2)選擇性材料蒸鍍(selectivc(lcpositi。n):以離f束的能董分解有機金屬蒸't rk't相絕緣材料,在局部lK域作導體或非導體的沉積,可提供金屬和氧化層的沉積(n1etal andTE()S dep()si1ion),常見的傘屬沉積有鉑(latinum,Pt)和鎢(Γungstun,W)工種.應明丁線路修補、沒汁糾錯等.

   (3)強化性刻蝕或選擇忤刻蝕(enhanced ctching ic)dinc∷selec1ive etching Xe):輔以腐蝕忤氣體,加速切割的效率或線路修補時做選擇性的材料去除:IB也能夠產二次電子。因此FIB也可以利27和1理同SEM電壓襯度。聚焦離子束具有許多獨特且重要的功能.已廣泛地應體業,其特性在于能將以往在半導體設計、制造、檢測Jt故障分析的許多困碓、耗時或根本尢法達成的閘題解決:例如線路修補和布局驗證。組件故障分析/卜產線制程異常分析.IC制程監控-例如光阻切割.透射電子顯微鏡佯制作等 圖112s為用FIB制備的TBM薄膜樣品。