當集成電路的M(B器件,經過一段時間的下作,器件的電學性能會逐步退化。如閾值U2008B-MY電壓(V|b)漂移.跨導(Gm)降低,飽和電流(Jdψ)減小,關態泄漏電流(Ii")升高,最后導致器件不能正常丁作。研究表明,這種現象是由熱載流子所致,故稱為熱載流子注人效應(H ot(rF1rrier Injection,HCI)。

   熱載流子是指其能童比費米能級大幾個KT以上的載流子。這些載流子與晶格不處于熱平衡狀態,當其能量達到或超過Si SiO=界面勢壘時(對電子注人為3.2eV,對簾穴注人為1.5eV)便會注人氧化層中.產⒋界畫態、氧化層缺陷或被陷阱所俘獲.使氧化層電荷增加或波動不穩,這就是熱載流子效應。熱載流子包括熱電子和熱空穴。