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關鍵層,缺陷敏感度高.

發布時間:2017/11/19 17:23:30 訪問次數:601

   有了D0,還必須能和產品的yield聯系起來,這樣對于產品能作出合理的yield預測,對丁藝改善進行指導。 HVLED805TR

   一種應用較為廣泛的yield model是bose einstein model

   這里A為產品的面積(chip area),單位是in2。1)0單位是個/cm2。″是制程復雜度的指標c數值上等于各工藝層的復雜度的和(下面每層的取值,對應不同的公司//li產線/T藝可能不同):

   (1)關鍵層,缺陷敏感度高.復雜度為1(AA,Poly,Contac1,Ml等)。

   (2)普通層,缺陷敏感度中.復雜度為0,5(后段I藝的Metal,Via層)。

   (3)非關鍵層,缺陷敏感度低,復雜度為0.25(離子注人層等)。

   (4)其他非關鍵層,缺陷敏感度極低,復雜度為0(鈍化層等)。

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   這里A為產品的面積(chip area),單位是in2。1)0單位是個/cm2。″是制程復雜度的指標c數值上等于各工藝層的復雜度的和(下面每層的取值,對應不同的公司//li產線/T藝可能不同):

   (1)關鍵層,缺陷敏感度高.復雜度為1(AA,Poly,Contac1,Ml等)。

   (2)普通層,缺陷敏感度中.復雜度為0,5(后段I藝的Metal,Via層)。

   (3)非關鍵層,缺陷敏感度低,復雜度為0.25(離子注人層等)。

   (4)其他非關鍵層,缺陷敏感度極低,復雜度為0(鈍化層等)。

相關技術資料
11-19關鍵層,缺陷敏感度高.
相關IC型號
HVLED805TR
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