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系統化的良率分析方法

發布時間:2017/11/21 21:15:39 訪問次數:555

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   半導體△產制造中時常用yield作為指標來進行分析。在很多時候,由于測試順序等原/xl,yield對于失效機制的反映存在一定的偏差,所以需要引limi1ed yield這個概念。 TC4053BF

   表17.1是一個hn測試的案例。共有A~G七個測試項日,測試順序從A到G,有100個樣品用于這項測試。采用⒏F(stop on hl)測試,即某樣品任一項日測試失效,停止余下項日測試,轉到下一樣品。⒏)F測試是在半導體生產制造中常用的wafer yield測試方法,和與之對應的C()F(continue on hl)測試比較而言,它能節約測試時間,lm測試時問和測試成本成正比。

    圖17.39左邊的Bar chart直接利用bin∞unt(相當于計算yield loss)來比較各測試項日的影響,結論是A項是最嚴重的(Bar最高,失效最多),B項次之。

      

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   表17.1是一個hn測試的案例。共有A~G七個測試項日,測試順序從A到G,有100個樣品用于這項測試。采用⒏F(stop on hl)測試,即某樣品任一項日測試失效,停止余下項日測試,轉到下一樣品。⒏)F測試是在半導體生產制造中常用的wafer yield測試方法,和與之對應的C()F(continue on hl)測試比較而言,它能節約測試時間,lm測試時問和測試成本成正比。

    圖17.39左邊的Bar chart直接利用bin∞unt(相當于計算yield loss)來比較各測試項日的影響,結論是A項是最嚴重的(Bar最高,失效最多),B項次之。

      

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