傳統的芯片封裝制造工藝

   芯片由晶圓切割成單獨的顆粒后,再經過芯片封裝過程即可單獨應用。 OB2358

   本章介紹基本傳統的芯片封裝制造工藝流程。

   減薄(Back GHnd)

   芯片依I藝要求,需有一定之厚度。應用研磨的方法,達到減薄的目標。研磨的第一步為粗磨,目的為減薄芯片厚度到目標值(一般研磨后的厚度為250~300um,隨著芯片應用及封裝方式的不同會不一樣)。第二步為細磨,目的為消減芯片粗磨中生成的應力破壞層

(一般厚度為l~2um左右)。研磨時需有潔凈水(純水)沖洗,以便帶走研磨時產生的硅粉。

   若有硅粉殘留,容易造成芯片研磨時的破片或產生微裂紋,在后序的工藝中造成芯片破碎的良品率問題及質量問題。同時需要注意研磨輪及研磨平臺的平整度,可能會增加芯片破片的機率(因為平整度不好會造成芯片破片)。研磨機內部示意圖如圖19.1所示。