大的應力;當應力通路晶格常數的改變得到釋放時,就會產生位錯(dis1ocatiOn),這種由NC7SZ57P6X晶格不匹配產生的位錯可以在GaN晶體中延伸很長,甚至延伸到表面,形成V形位錯。圖中未表示出來的就是在生長過程中,某些外延層,如多量子阱(MQW)生長溫度過低,原子遷移率過低,也會在局部外延層產生大量的位錯。這些位錯都容成為靜電放電中的漏電通道。由于靜電放電擊穿GaN基LED的放電過擊穿過程的發生,更難以捕捉擊穿的細節和機制,因此只能通過不擊穿電壓和擊穿電流的擊穿效果來對擊穿過程做出推斷。

   靜電擊穿對LED中GaN材料的影響主要是通過對GaN材料中分布的線位錯的電學特性的改變體現出來。由于GaN材料異質生長在藍寶石襯底上,材料內的線位錯密度很高。線位錯延伸到界面,形成V形缺陷(Ⅵ血apc Dcfcct)。當較高的反向電壓施加在LED兩極時,漏電流會突增3~5倍,而且伏安特性會改變,不再是標準的二極管模型,而是發生了扭曲,伏安特性表現出電阻的特性。說明發光二極管己經被靜電擊穿了,但是二極管仍然可以發光,但發光壽命縮短比較明顯。這是因為在反向電壓下,線位錯的導電性增大, 但沒有完全融毀材料,形成較大的電流通路。