還有，PCA9504ADGG挑戰來自金屬的硬度（硬度不同，其拋光速率不同）和較軟聚合物材料的層間介質( IDL)。盡管仍然存在各種挑戰，晶圓表面的平整度不得不控制在150 nm以下。

   1998年4月,So//d State Technology,Copyright 1998 bv PennWell Publishing Company)

    化學機械拋光后的清潔

   本書自始至終都在強調晶圓表面清潔的重要性。化學機械拋光后的清潔恰恰體現丁這一重要性。清潔面臨一些特殊的挑戰。化學機械拋光是唯一有意在工藝過程中引人稱為磨粉的微粒。它們一般可以用機械刷拂去或用高壓水注沖去。化學清潔一般采用與其他FEOL清洗相同的技術。

   精心挑選磨料漿的表面活性劑，調節pH值可以在磨料漿微粒和晶圓表面之間產生電的排斥作用。這一技術可以降低污染，特別是靜電吸附晶圓表面的污染物。

   銅污染要特別留意，因為一旦銅進入硅中，會改變或降低電路元件的電性能。銅殘留應減少到4×l013原子／C ffl2范圍i32]。