場效應晶體管CfIeld effect訂ansisto△FEη是現代微電子技術中最重要的一類器件,它是靠改變電場來影響半導體材料導電性能的有源器件。圖1.8為 GAL20V8B-15LD場效應晶體管的基本結構,它由介電層、半導體層及三個電極(源電極、漏電極、柵電極)所組成。它的工作原理,是通過柵電極的引人來改變器件利用有機薄膜來替代普通無機半導體材料制備的有機場效應晶體管①FET)有很多優點,如:制造工藝相對簡單、生產能耗有望減少、性能可以較簡易地加以調節、價格低廉、可方便地實現大批量生產。在常規硅材料的制各中,要求在高溫、高真空的條件下進行材料的沉積,并要求用復雜的光刻技術來實現圖案化,而有機場效應晶體管可采用低溫沉積法或者溶液成膜法,工藝相對簡單,加工速度快。同時,有機材料幾乎有著無限量的、不同的建筑“基塊”,能夠很容易得到不同性質的材料。如果將所有的材料都用有機物代替,就可以制備出具有良好柔韌性的電子器件,這也是有機場效應晶體管被大家強烈關注的原因之一。

    在應用方面,由于oFET的性能如響應時間、開關比等不可能與硅晶片相比,所以并沒有期待它取代計算機中的中央處理器單元。但是基于OFET的廉價制各工藝、大面積及可柔性的特點,它有可能成為低端且大需求量電子產品中的核心元件,如智能卡、商品價格標簽、識別標志、以及電子書籍(報紙)等。圖1,9給出了有可能應用OFET的產品。