值為111F的電容在本案例所產生的輻射頻率的范圍內的阻抗要比10pF的結電容小很多,1nF旁路電容的連接相當于把Δσ“短路”了,如圖5.49所示。 K4F151611D-JC60

   這也許是個不可思議的結果,但是事實迓的改動后,也許有人會懷疑,1nF電容的存在力降低,理由是1nF電容比原來的10pF結哇干擾的頻率下,阻抗也會小很多,那么自然沅會增大(如圖5.50所示),因此E叮//B測試刊經過測試,結果正好相反,抗E田//B干扌相反提高了很多 原來只能通過信號線±l kⅤ測試的本產品,現在 圖5,⒆旁路電容能通過±2kⅤ測試(拆除1nF電容后,只能通過±1kⅤ)。    

   以下是數字電路地與模擬電路地之間接1nF旁路電容后反而使r/B抗干擾能力提高的解釋。

   圖5.51中假設共模干擾電流由左側流向右側,由于A、B之間的阻抗較高(分布電容容抗)會導致有一部分共模干擾電流由A流向C,經過二極管再流向B,可見光耦中最為敏感的部分,發光二極管受到了干擾,并使其工作失常。

   圖551 共模電流導致光耦I作不正常

   與輻射問題同樣的道理,接了111F的旁路電容后,降低了A、B之間的壓降,情況也就好轉很多(注:通常這種跨接的旁路電容需要采用耐壓1kⅤ以上的高壓電容)。