這里講的沉積膜,是指爐管和化學氣相沉積(CVD)方法根據制程要求所生長的膜。在A276308AL-70膜沉積前后,需要對晶片表面進行清洗,以避免污染在制程間傳遞和惡化,特別是制程推進到65nn1以下,這種清洗尤其重要。膜層沉積前,晶片保存在無塵室的晶片盒里,但無塵室有等級之分,即便等級1的無塵室,也免不了環境中有機物氣體和微小顆粒的影響,再加上上道制程渚如離子、分子、顆粒等帶下來的污染。有機物覆蓋的地方會影響膜層的正常生κ;細小顆粒會隨著膜層生長,成為大的顆粒或使膜層突起;金屬離子則在高溫下,在膜層中擴散,對膜層的電阻率、隔離等品質造成影響。因此這些有害因子,在膜層沉積前,必須加以去除。沉積后的膜,如果表面有顆粒存在,后道若是刻蝕,會阻擋刻蝕的深入進行;若是曝光,會影響圖案形態;若是化學機械研磨,會造成膜層刮傷等;岡此,對膜層沉積后的晶片,需盡可能地清除可能的污染c常用的方法是大家熟知的RCA清洗,它是由RCΛ公司(美國廣播公司)的Kern和Puotincn于1970年發布,一直沿用至今。其特點有兩步:①標準清洗液1(SC1)清洗,是氨水、雙氧水和水的混合物,主要去除有機物膜污染、金屬(如金Au,銀Ag,銅Cu,鎳Ni,鎘Cd,汞Hg等)、顆粒。②標準清洗液2(SC2)清洗,是鹽酸、雙氧水和水的混合物,功能是去除無機物、一些堿金屬和重金屬:l1。

   雖然RCA清洗很有效,但由于新制程的特殊需求,還需加入新的內容和不同處理組合,以達成不同的需求。常用的有序組合有:①單獨使用RCA清洗;②硫酸雙氧水混合物(SPM)~)稀釋氫氟酸(DHF)―>RCA清洗;③硫酸雙氧水混合物(SPM)―)RCA清洗等。詳解如下:

   (1)有機物污染的去除(SPM):普遍使用的去除劑是sPM(98%H2s01和31%H'02的混合物),也叫Piranha dean,比例(2~8):l,溫度120~280℃.對有機物一般有很強的去除能力。由于SPM黏度較大,冷水沖洗效率低,處理后常用熱水(60~80℃)沖洗。

   (2)氧化硅膜去除(稀HF):多用于硅晶片清洗。制程第一步SPM去除有機物后,晶片由于高溫sPM的強氧化作用,表面會生成一層氧化膜;第二步氧化硅膜去除起初使用高濃度HF去除,如HF:H20比例為1:10、卜50或1:100。現今普遍使用更稀的HF,如HF:H20比例為1:200、卜300或1:1000以上。溶液溫度為室溫。