增強型NMOS管的結構與等效符號
發布時間:2019/2/15 20:30:12 訪問次數:3150
增強型NMOS管的結構與等效符號如圖11-19所示。
增強型NMOS管是以P型硅片作為基片(又稱襯底),在基片上制作兩個含很多雜質的N型材料,MC56F8256VLF 再在上面制作一層很薄的二氧化硅(so2)絕緣層,在兩個N型材料上引出兩個鋁電極,分別稱為漏極(D)和源極(S),在兩極中間的二氧化硅絕緣層上制作一層鋁制導電層,從該導電層上引出電極稱為G極。P型襯底與D極連接的N型半導體會形成二極管結構(稱之為寄生二極管),由于P型襯底通常與S極連接在一起,所以增強型NMOs管又可用圖11△9(b)所示的符號表示。
增強型NMOS管的結構與等效符號如圖11-19所示。
增強型NMOS管是以P型硅片作為基片(又稱襯底),在基片上制作兩個含很多雜質的N型材料,MC56F8256VLF 再在上面制作一層很薄的二氧化硅(so2)絕緣層,在兩個N型材料上引出兩個鋁電極,分別稱為漏極(D)和源極(S),在兩極中間的二氧化硅絕緣層上制作一層鋁制導電層,從該導電層上引出電極稱為G極。P型襯底與D極連接的N型半導體會形成二極管結構(稱之為寄生二極管),由于P型襯底通常與S極連接在一起,所以增強型NMOs管又可用圖11△9(b)所示的符號表示。
上一篇：場效應管型號命名方法
上一篇：增強型NMOS管的結構與等效符號
相關技術資料- 2-15增強型NMOS管的結構與等效符號
- 2-15增強型NMOS管的結構與等效符號
公網安備44030402000607
