D2F-01L

   有機場效應晶體管的結構

   如前所述,場效應晶體管由三個電極、一個絕緣層和一個半導體層組成。與半導體直接接觸的一對電極分別稱為源極(source)和漏極(drain);與絕緣層接觸、并隔著絕緣層正對源極和漏極間隙的電極稱為柵極佗ate)。器件工作時,加載于源極和漏極之間的恒定電壓稱為源漏電壓(或稱漏電壓,‰),相應的電流稱為源漏電流(或稱漏電流,rD),亦稱為溝道電流,因為它被限制在源極和漏極之間的導電溝道之中,其大小由溝道中的多數載流子的密度和遷移率來決定。加在柵極上的可變直流電壓稱為柵電壓(/G),柵電壓的作用是在半導體表面引入一垂直電場,使得能帶在這里按多數載流子密度升高的方式彎曲,形成導電溝道。溝道的產生和消失,以及溝道中載流子密度的高低,都是由柵壓來控制。

    場效應晶體管的結構不僅與材料有關,也與器件制備時所采取的薄膜制備順序有關。根據薄膜堆疊順序的不同,器件可以分為頂柵式(top gate,T⑶ 場效應晶體管和底柵式oottom gate,B⑶場效應晶體管(圖3,1)。由于有機材料耐高溫性較差,有機場效應晶體管的結構廣泛采用底柵式結構,這樣可以避免由于絕緣層和柵電極薄膜沉積溫度較高可能導致的有機層破壞。底柵式結構又可以分為頂接觸式(top∞碰aCt,To和底接觸式(bo倪om∞ntact,Bo兩種結構,見圖3.2。