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線性區域、飽和區域和夾斷電壓

發布時間:2019/4/11 20:29:22 訪問次數:4061

    HA16116FPJEL

  

   線性區域、飽和區域和夾斷電壓

   如果固定場效應晶體管的柵電壓,對器件進行漏電壓掃描,可獲得電流-漏電壓曲線frD~‰),該曲線反映了器件的輸出特性,如圖3,8所示。圖中可以看出,輸出電流的大小隨著柵電壓的增大而增大。當沒有加載柵電壓時,就沒有輸出電流,器件處于關狀態(cutofO。這點比較容易理解,在場效應晶體管中,由于溝道的導電性正比于電荷數目,而電荷數目正比于柵電壓,因此器件導電性隨柵電壓的增大而提高。

    圖3,8中的曲線

分為兩個區域,即線性區和飽和區。在線性區域內,漏電壓很小,柵電壓遠遠大于漏電壓,這時電流與漏電壓成正比,r~/曲線呈直線型;在飽和區域內,漏電壓超過了柵電壓,電流不再隨漏電壓的增大而增大,而是趨于飽和,這個區域的電流通常為一定柵電壓下場效應晶體管器件的輸出電流。一定的柵電壓下,在線性區域和飽和區域之間,存在一個轉折點,該點對應的漏電壓是夾斷電壓。場效應晶體管的這種輸出特性,與溝道中載流子隨柵電壓、漏電壓的變化密切相關,如圖3.9所示。

   


 

    HA16116FPJEL

  

   線性區域、飽和區域和夾斷電壓

   如果固定場效應晶體管的柵電壓,對器件進行漏電壓掃描,可獲得電流-漏電壓曲線frD~‰),該曲線反映了器件的輸出特性,如圖3,8所示。圖中可以看出,輸出電流的大小隨著柵電壓的增大而增大。當沒有加載柵電壓時,就沒有輸出電流,器件處于關狀態(cutofO。這點比較容易理解,在場效應晶體管中,由于溝道的導電性正比于電荷數目,而電荷數目正比于柵電壓,因此器件導電性隨柵電壓的增大而提高。

    圖3,8中的曲線

分為兩個區域,即線性區和飽和區。在線性區域內,漏電壓很小,柵電壓遠遠大于漏電壓,這時電流與漏電壓成正比,r~/曲線呈直線型;在飽和區域內,漏電壓超過了柵電壓,電流不再隨漏電壓的增大而增大,而是趨于飽和,這個區域的電流通常為一定柵電壓下場效應晶體管器件的輸出電流。一定的柵電壓下,在線性區域和飽和區域之間,存在一個轉折點,該點對應的漏電壓是夾斷電壓。場效應晶體管的這種輸出特性,與溝道中載流子隨柵電壓、漏電壓的變化密切相關,如圖3.9所示。

   


 

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