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三層器件結構

發布時間:2019/4/17 20:16:37 訪問次數:1428

   FA1105C-1105-TR

  

   三層器件結構

    為了更進一步優化器件結構,提高器件性能,人們提出了三層器件結構,主要包括兩種情形,如圖5.29所示。第一種三層器件由陽極、HTL、發光層GMV、ETL、陰極依次構成;另一種三層器件由陽極、發光的HTL、限制層、發光的ETL、陰極依次構成。前一種器件中,中間是發光層,其特點是HTL較高的LUMO對電子由EML進一步向HTL方向的輸運起到阻擋作用,而ETL較低的HOMO對空穴由EML進一步向ETL方向的輸運起到阻擋作用。后一種器件中,中間層是載流子限制層,它對正負兩種載流子的輸運都起到部分的限制作用,即部分地限制空穴由HTL進人 TL,并且部分地限制電子由ETL進人HTL,結果使HTL和ETL都發生載流子復合,并產生光發射。對于前一種三層器件,其優點是可將載流子復合區域較好地限制在器件中部的EML內,提高了復合效率,并防止了電極對激子的猝滅。該結構的另一個優點是,每層分別起―種作用,可選擇材料的范圍比較寬泛,器件的優化也較為容易。對于后一種三層器件,除了具有雙層器件的優點外,還通過中間限制層的作用,使器件產生兩個發光區域,產生不同的光色,這樣的結構也是獲得白光的一種方法p到。由于限制層需要同時具有限制空穴向陰極方向和限制電子向陽極方向遷移的作用,因此它必須具有較低的HoMO和較高的LUMo能級。

       

   FA1105C-1105-TR

  

   三層器件結構

    為了更進一步優化器件結構,提高器件性能,人們提出了三層器件結構,主要包括兩種情形,如圖5.29所示。第一種三層器件由陽極、HTL、發光層GMV、ETL、陰極依次構成;另一種三層器件由陽極、發光的HTL、限制層、發光的ETL、陰極依次構成。前一種器件中,中間是發光層,其特點是HTL較高的LUMO對電子由EML進一步向HTL方向的輸運起到阻擋作用,而ETL較低的HOMO對空穴由EML進一步向ETL方向的輸運起到阻擋作用。后一種器件中,中間層是載流子限制層,它對正負兩種載流子的輸運都起到部分的限制作用,即部分地限制空穴由HTL進人 TL,并且部分地限制電子由ETL進人HTL,結果使HTL和ETL都發生載流子復合,并產生光發射。對于前一種三層器件,其優點是可將載流子復合區域較好地限制在器件中部的EML內,提高了復合效率,并防止了電極對激子的猝滅。該結構的另一個優點是,每層分別起―種作用,可選擇材料的范圍比較寬泛,器件的優化也較為容易。對于后一種三層器件,除了具有雙層器件的優點外,還通過中間限制層的作用,使器件產生兩個發光區域,產生不同的光色,這樣的結構也是獲得白光的一種方法p到。由于限制層需要同時具有限制空穴向陰極方向和限制電子向陽極方向遷移的作用,因此它必須具有較低的HoMO和較高的LUMo能級。

       

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相關技術資料
4-17三層器件結構
相關IC型號
FA1105C-1105-TR
FA111

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